ＳｉＣ（シリコンカーバイド）のＭＯＳ界面特性を評価する手法、そしてこれまでに開発されてきた界面欠陥低減技術について解説！パワー半導体ＳｉＣのＭＯＳ界面特性評価・界面欠陥低減技術主催：Ｒ＆Ｄ支援センター日時：2011年10月5日（水） 10：30〜16：3…