プラズマエッチングの基礎と実際

エッチングプロセス技術の基本からプラズマエッチング装置技術、プラズマ分析技術、表面分析技術、プロセスの構築方法など詳解！

プラズマエッチングの基礎と実際
〜装置・プロセス構築・反応機構・計測・評価〜

主催：Ｒ＆Ｄ支援センター

日時：2012年11月22日（木）　10：30〜16：30

【習得できる知識】
プラズマ科学の基礎、反応性プラズマを使用したエッチングプロセス技術の基本
プラズマ及びプラズマエッチング装置技術、プラズマ分析技術、表面分析技術、プロセスの構築方法

【講座のポイント】
プラズマエッチング技術に関わる、プラズマ生成、計測、装置技術、表面分析技術および各材料に対するプロセス技術の基本的な概念、知識と、実際に本技術に携わる場合にどのようにプロセスを構築していくか 等を初心者にもわかりやすく解説する。質疑を通して、個別の相談にも応じる。

【プログラム】
１．はじめに
　1.1 背景‐半導体産業の進展
　1.2 エッチング技術とは
　1.3 技術分類と基礎概念・用語

２．プラズマエッチングの基礎
　2.1 プラズマ生成の基礎
　2.2 エッチング反応
　2.3 方向性加工の機構

３．エッチング装置技術
　3.1 プラズマ装置の種類
　3.2 プラズマエッチング装置の変遷
　3.3 放電方式

４．プロセス技術
　4.1　金属のエッチング
　　4.1.1 Al合金
　　4.1.2 W, Mo
　　4.1.3 Cu
　　4.1.4 他
　4.2 半導体のエッチング
　　4.2.1 Si系材料
　　4.2.2 III-V族系材料
　　4.2.3 他
　4.3絶縁物のエッチング
　　4.2.1 SiO2
　　4.2.2 Low-k材料
　　4.2.3 他
　4.4 超高速エッチング
4.5 超高アスペクト比加工
4.6 高精度寸法制御
　4.7 プロセス構築手法

５．ダメージ・汚染
5.1 絶縁破壊現象
5.2 物理・化学的ダメージ
5.3 パーティクル

６．評価技術
6.1 プラズマ診断技術
6.2 表面分析技術

７．まとめ
　7.1 コア技術
　7.2 今後の展望

［質疑応答・名刺交換］