ドライエッチングの基礎と密度・速度・圧力の最適化および応用技術

これからエッチングを始めようとする人、始めて２〜３年でエッチングプラズマを理解したい人向けに、現在問題となっている、ArFレジストのLER、LWRおよびporous Low-kエッチングについてどう対処するかについて一つの提案を行う！

≪２名同時申込の場合、２人目は半額で受講できます≫

主催：Ｒ＆Ｄ支援センター

日時：平成22年5月24日（月）　10：30〜16：30

≪講座趣旨≫
これからエッチングを始めようとする人、始めて２〜３年でエッチングプラズマを理解したい人向けに基礎的な理解を深める講義を行う。また、現在問題となっている、ArFレジストのLER、LWRおよびporous Low-kエッチングについてどう対処するかについて一つの提案を行う。

≪プログラム≫
１．ドライエッチングとは？
２．エッチングの基礎
　　2-1 酸化膜エッチの主なパラメータ
　　2-2 Siエッチの主なパラメータ
３．エッチングプラズマの基礎物理量について
　　3-1 プラズマ密度とエッチ速度
　　3-2 フラックス量と生成物の発生量
　　3-3 酸化膜エッチにおけるプラズマ密度の最適な範囲は?
　　3-4 Siエッチにおける最適な圧力領域は?
４．シースにおけるイオン加速と衝突
　　4-1 シース中では何が起こっているか?
５．各種プラズマ源とその物理量
　　5-1 酸化膜エッチに適した構造は?
　　5-2 Siエッチに適した構造は？
６．層間絶縁膜エッチングについて
　　6-1 酸化膜エッチング
　　6-2 有機Low-kエッチング
　　6-3 ArFレジストのLER、LWRを発生させないエッチング
　　6-4 porous Low-kエッチング
７．MEMSへの適用
　　7-1 石英エッチング
　　7-2 Siのエッチング…Bosch Process
　　7-3 新しい深堀技術の紹介
　　7-4 光デバイスのエッチング
　　7-5 高誘電体材料のエッチング
８．その他の材料のエッチング
９．将来技術としての低圧高密度プラズマについて

（質疑応答・名刺交換）