最新プラズマエッチング技術 - 技術者・研究者向けセミナー

ドライエッチングの基礎から最新技術までを網羅した注目セミナー！情報が得にくい装置やダメージについても詳しく解説！

日時：2012年3月19日（月）　11：00〜16：30

【講座のポイント】
　下記のプログラムに沿って基礎から詳しく解説を行う。

【プログラム】
１．エッチングの基本的概念
　　・イオン、ラジカル、堆積性化合物の生成、電子温度・密度、中性分子の密度、気相反応、表面反応、形状制御、選択比
２．エッチングガスの物性
　　・ハロゲン化合物の一般的物性(特に融点、沸点について)
　　・ハロゲン化合物の電子物性とプラズマ中における解離
３．ケミカルドライエッチング
　　・SiO2のケミカルドライエッチング
　　・Siのケミカルドライエッチング
４．RIEについて
　　・並行平板型エッチング装置の種類と特徴
　　・ICP型エッチング装置の種類と特徴
　　・イオンエネルギー分布と酸化膜エッチング
　　・SiとF原子の反応と反応速度定数
　　・選択比と形状制御
５．添加ガスの役割
　　・O2添加効果
　　・N2添加効果
　　・希ガスの添加効果
６．エッチングダメージについて
　　・イオンダメージ
　　・チャージングダメージ
　　・レジストの荒れ
７．MEMSのエッチングと課題
　　・Si高速エッチングの課題
　　・酸化膜高速エッチングの課題
　　・不揮発性物質のエッチング
８．新しいエッチングガスの創製
　　・官能基の配置とイオン、ラジカルの発生との相関
９．まとめ

（質疑応答・名刺交換・個別相談）