SiCパワーデバイスの最新動向と今後の課題
SiCパワーデバイスの特長は？課題は？どんな素子がいつごろ本格的にマーケットに登場するのか？
主催：Ｒ＆Ｄ支援センター
日時：2012年4月16日（月） 10：30〜16：30
【講座のポイント】
パワー半導体の将来を考える上での重要な課題として、シリコンデバイスからシリコンカーバイド（ＳｉＣ）やガリウムナイトライド（ＧａＮ）に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつになったら移行するかというところにある。シリコンＩＧＢＴはトレンチＦＳ型の誕生でまたＭＯＳＦＥＴはsuperjunction型の誕生で特性限界に近づきつつあり、いよいよSiCに代表されるワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実味を帯びてきた。
パワーデバイスの最新の技術動向、特にSiCデバイスの動向を解説しながら、特性や製造プロセスの特異性など、素子設計、製造プロセス、またアプリケーションの立場を通して多角的な観点から詳細に説明する。
【プログラム】
１．パワーデバイスの現状
1-1 どんな用途に何が使われているのか？
1-2 パワーデバイスに要求される特性は何？
２．Si-IGBT, Si-MOSFETの開発の歴史と最新技術
３．SiCパワーデバイス開発
3-1 なぜSiCが注目されているのか
3-2 SiCで何を開発するのか？MOSFETなのかIGBTなのか
3-3 SiCパワーデバイス開発現状と課題
・最近の新聞発表、論文について解説
・SiC-MOSFETの本格的な製品化はいつごろなのか？
・製品化を阻んでいる課題は何なのか？
3-4 SiCパワーデバイスのプロセスはSiとどこが違うのか
3-5 SiCデバイスの品質向上
3-6 GaNパワーデバイス開発現状と課題
・なぜGaNなのか？SiCに対して何がいいのか？
・最近の新聞発表、論文について解説
４．まとめ
［質疑応答・名刺交換］
