半導体デバイスにおける3次元計測の現状・課題と技術開発の方向

半導体バイス3次元化を発展させるための3次元計測技術について、現状と課題、今後の開発方向を詳解!

半導体デバイスにおける3次元計測の現状・課題と技術開発の方向

主催:R&D支援センター

日時:2012年6月18日(月) 12:30〜16:30

【講座のポイント】
 電子デバイス、中でも半導体バイスは大きな技術の転換点に差し掛かっている。その理由は、これまで高性能化・高機能化(高速化・高集積化)の推進力となってきたパターンの微細化・デバイス構造の微小化、それらが限界に近づいてきたためである。

 このような微細化・微小化の限界を回避し高性能化・高機能化を推し進めるための一つの方策、それが構造の立体化(すなわち3次元化)である。現在、半導体バイスでは3次元化を発展させるための研究・開発が精力的に進められている。一方、3次元化技術を研究・開発し実用化するためには、3次元計測が不可欠になる。

 本セミナーでは、上に述べたような視点から、半導体バイスにおける3次元計測の現状と課題について紹介し、今後の開発方向について述べる。

【プログラム】
1.半導体バイス・プロセス技術の開発動向と3次元化の加速
  1-1.変わることを強いられる半導体バイス・プロセス技術
  1-2.デバイス構造の3次元化
  1-3.配線構造の3次元化
  1-4.3次元実装の更なる推進
  1-5.新探究デバイス・新探究材料の開発
  1-6.Computational Lithographyの高度化とEUVリソグラフィへの期待

2.半導体バイス・プロセスにおける3次元計測の現状と課題
  2-1.半導体バイス・プロセスにおける3次元計測とは!
  2-2.デバイス形成に係わる3次元計測の現状と課題
     ・Fin FET、3D Memory他
  2-3.配線形成に係わる3次元計測の現状と課題
     ・Cu配線/low-k膜他
  2-4.実装に係わる3次元計測の現状と課題
     ・TSV他
  2.5.新探究デバイス・材料に係わる3次元計測の課題
     ・CNT他
  2-6.Computational LithographyおよびEUVマスクに係わる3次元計測の課題
     ・多層マスク他

3.主な3次元計測技術
  3-1.光を用いた3次元計測
     ・スキャトロメトリ、赤外線(干渉計、反射計、共焦点顕微鏡)、TSOM 他
  3-2.X線を用いた3次元計測
     ・SAXS、X線モグラフィ(X線CT)他
  3-3.電子ビームを用いた3次元計測
     ・SEM(FIB、プロファイル)、TEM(FIB、トモグラフィ)他
  3-4.SPMを用いた3次元計測
     ・SAM、CD-AFM他
  3-5.超音波を用いた3次元計測
     ・超音波顕微鏡他
  3-6.将来方向
     ・Integrated Metrology、Model based Metrology、Hybrid Metrology

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