SiC/GaNパワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題

パワーデバイスの用途およびシリコンパワーデバイスの進化を概観し、ワイドギャップ半導体パワーデバイスの有用性を解説！

日時：2011年7月29日（金）　12：30〜16：30

＜講座のポイント＞
2011年3月11日の東日本大震災で、東北地方太平洋岸は壊滅的な被害を受けた。中でも福島第一原発の事故は、日本の電力供給体制を一から見直す必要があることを示唆した。また、現在地球温暖化防止が人類最大の課題であり、早急に対策しなければ人類生存が危うくなる。

　近年、再生可能エネルギーを利用した分散型発電とスマートグリッドが注目されてきていたが、急速にこれらの普及を加速しなければならない。また、ハイブリッドカーや電気自動車の普及や電気機器のインバーター化は、化石燃料使用料削減への積極的な取り組みである。

　これらの装置やシステムにおいては電力変換を頻繁に行う必要があり、効率的な電力変換を実現しているのがパワーデバイスである。パワーデバイスは、発明当初からシリコンを用いて製造されてきており、今後も当面はシリコンパワーデバイスが主流である。一方で、シリコンパワーデバイスの性能が限界に近づいており、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体パワーデバイスでさらなる高性能化を図る動きが台頭してきた。

　本セミナーでは、パワーデバイスの用途およびシリコンパワーデバイスの進化を概観し、ワイドギャップ半導体パワーデバイスの有用性を解説する。また、SiCとGaN個別のターゲット分野とそれぞれのデバイス構造、課題について解説する。さらに、SiC/GaNパワーデバイスの有用性を引き出すために要求されるパッケージング等の周辺技術について詳解する。

＜プログラム＞
１．シリコンパワーデバイス
　　1-1．パワーデバイスとは
　　1-2．シリコンパワーデバイスの用途

２．シリコンパワーデバイスの進化と技術課題
　　2-1．シリコンパワーデバイスの変遷
　　2-2．シリコンIGBTの高性能化/低コスト化と技術課題

３．ワイドギャップ半導体の優位性と開発ターゲット
　　3-1．ワイドギャップ半導体の優位性
　　3-2．ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
　　3-3．参入デバイスメーカーの動向

４．SiCパワーデバイス
　　4-1．SiC基板
　　4-2．SiCパワーデバイスの構造
　　4-3．SiCパワーデバイスの課題

５．GaNパワーデバイス
　　5-1．GaN基板
　　5-2．GaNパワーデバイスの構造
　　5-3．GaNパワーデバイスの課題

６．パワーデバイス高性能化/低コスト化のための周辺技術
　　6-1．周辺技術の重要性
　　6-2．電流取り出し構造
　　6-3．裏面電極構造
　　6-4．封止技術
　　6-5．チップダイシング技術
　　6-6．テスト技術

７．まとめ

【質疑応答・名刺交換・個別相談】