ＳｉＣ基板のエッチング技術と平滑化
SiCデバイスの高性能化に向けたエッチング、鏡面研磨技術を紹介！！
〜ＳｉＣデバイス高性能化に向けた〜
主催：Ｒ＆Ｄ支援センター
日時：2012年5月31日（木） 12：30〜16：30
【受講対象】
半導体産業関連、電子産業関連、フッ化物製造業関連、産業用ガス製造業関連、
【習得知識】
三フッ化窒素の物性、三フッ化窒素の安全性、SiC基板のエッチング、SiC基板の平滑化ほか
【講座のポイント】
最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。
本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機構を解明し、ガス圧を低くして平滑化の妨げになるスパイクの生成を抑制し、また、ピラー生成を抑制すべく、NF3/Ar混合ガスプラズマを用いてSiC表面の平滑化に及ぼすArの効果について詳述する。
さらに、使用するNF3ガスの基本特性に言及し、使用時の安全対策についても述べる。
【プログラム】
１．三フッ化窒素の基本特性と安全性
1-1.三フッ化窒素の物性
1-2.フッ素および三フッ化窒素の安全性
２．NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
2-1.表面の前処理およびSiCの結晶性の影響
2-2.RF出力およびNF3ガス圧力の影響
３．プラズマエッチングによるSiC表面の平滑化機構
3-1.熱天秤法によるNF3とSiCの反応速度測定および反応生成物
3-2.NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによるSiC表面の平滑化機構
3-3.スパイクおよびピラー生成機構
４．NF3ガスおよびNF3/Ar混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング
4-1.As-cut SiC のプラズマエッチング
4-2.Epi SiC表面のプラズマエッチング
4-3.C-面鏡面研磨SiC表面のプラズマエッチング
4-4.Aｓ cut, Epi, C面鏡面研磨SiCおよびSi面鏡面研磨SiCの平滑化に及ぼすAr 添加の効果
【質疑応答・名刺交換・個別相談】
