パワー半導体ＳｉＣのＭＯＳ界面特性評価・界面欠陥低減技術【大阪開催】

ＳｉＣのＭＯＳ界面特性を評価する手法、界面欠陥低減技術について解説！Ｓｉとは異なったＳｉＣのＭＯＳ界面への理解を深め、ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの開発に活かしていただきたい！

日時：2012年11月8日（木）　10:30〜16:30

【受講して得られる知識】
・ＳｉＣのＭＯＳ界面特性の評価技術
・ＳｉＣのＭＯＳ界面欠陥の低減技術
・ＳｉＣのＭＯＳデバイスの現状・課題
・最近の学会における話題

【講師の言葉】
　近年、電力変換における損失を低減するために、パワー半導体（パワーデバイス）の低損失化が求められている。既存のＳｉパワーデバイスのさらなる低損失化は非常に困難であり、ワイドギャップ半導体、中でもＳｉＣを用いたパワーデバイスが注目を集めている。ＳｉＣショットキーダイオード（ＳＢＤ）に続き、ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの市販も始まっている。しかし、まだＳｉＣの特性を十分に活かした性能が得られているとは言い難く、ＭＯＳ界面（酸化膜／ＳｉＣ界面）の高品質化が鍵となる。

　本セミナーでは、ＳｉＣのＭＯＳ界面特性を評価する手法について、そしてこれまでに開発されてきた界面欠陥低減技術について解説する。ＳｉＣの種々の結晶面のＭＯＳ界面特性についても触れる。Ｓｉ−ＭＯＳデバイスの開発で培われてきた界面評価技術・欠陥低減技術は、ＳｉＣ−ＭＯＳデバイスに対してそのまま適用してもうまくいかない。Ｓｉとは異なったＳｉＣのＭＯＳ界面への理解を深め、ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの開発に活かしていただきたい。

【プログラム】
１．ＳｉＣパワーデバイスとＭＯＳ界面
　　1-1 ＳｉＣについて
　　1-2 ＭＯＳ界面とデバイス特性
　　1-3 ＳｉＣのＭＯＳデバイス作製プロセス
２．ＳｉＣのＭＯＳ界面評価技術
　　2-1．ＭＯＳキャパシタを用いたＭＯＳ界面評価法
　　　2-1-1 容量−電圧（Ｃ−Ｖ）特性の基礎
　　　2-1-2 Ｃ−Ｖ法（ターマン法、Ｈｉ−ＬｏＣ−Ｖ法、低温Ｃ−Ｖ法など）
　　　2-1-3 コンダクタンス法
　　　2-1-4 熱刺激電流法
　　2-2 ＭＯＳＦＥＴを用いたＭＯＳ界面評価法
　　　2-2-1 チャネル移動度（実効移動度、電界効果移動度、Hall移動度）
　　　2-2-2 しきい値電圧
　　　2-2-3 チャージポンピング法
　　　2-2-4 パルスＩＶ法
　　2-3 信頼性試験
　　　2-3-1 ＴＤＤＢ
　　　2-3-2 しきい値電圧シフト
３．ＳｉＣのＭＯＳ界面欠陥低減技術
　　3-1 ウェット酸化・ウェット再酸化アニール
　　3-2 水素アニール
　　3-3 ＮＯ／Ｎ２Ｏアニール
　　3-4 ＰＯＣｌ３アニール
　　3-5 その他の手法
４．ＳｉＣパワーＭＯＳデバイスの現状
　　4-1 ＤＭＯＳＦＥＴ
　　4-2 トレンチＭＯＳＦＥＴ
　　4-3 横型ＭＯＳＦＥＴ
　　4-4 ＩＧＢＴ
５．最近の学会における話題

（質疑応答・名刺交換・個別相談）