2012-10-09から1日間の記事一覧

半導体材料、デバイスの電子顕微鏡技術による解析法の基礎と試料作製法のポイント【大阪開催】

各種電子顕微鏡の構造と原理、観察目的に応じた観察手法の選択などについてわかりやすく解説!TEM用薄片試料の作製方法、ノウハウについて詳しく紹介!半導体材料、デバイスの電子顕微鏡技術による解析法の基礎と試料作製法のポイント主催:R&D支援センタ…

回折光学素子の設計と解析および作製・応用技術【大阪開催】

回折光学の考え方の基礎からスタートして、様々な解析や設計方法を中心として、実施例・応用展開について解説していく!回折光学素子の設計と解析および作製・応用技術主催:R&D支援センター日時:2012年11月9日(金) 10:30〜16:30【講座の趣旨】 回折…

高分子材料の耐傷つき性の定量評価手法と傷発生メカニズム【大阪開催】

プラスチック・ハードコート等の高分子材料のスクラッチ試験・評価方法について、事例を交えて分かりやすく解説!高分子材料の耐傷つき性の定量評価手法と傷発生メカニズム主催:R&D支援センター日時:2012年11月9日(金) 13:00〜16:30【受講対象】 ・…

ウェブの連続搬送におけるテンションコントロール入門【大阪開催】

液晶パネルなどの電子部品や燃料電池、太陽光発電用素材などの量産化のキーとなる技術!ウェブの連続搬送におけるテンションコントロール入門主催:R&D支援センター日時:2012年11月8日(木) 10:30〜16:30【講座のポイント】 テンションコントロールと…

パワー半導体SiCのMOS界面特性評価・界面欠陥低減技術【大阪開催】

SiCのMOS界面特性を評価する手法、界面欠陥低減技術について解説!Siとは異なったSiCのMOS界面への理解を深め、SiCパワーMOSFETの開発に活かしていただきたい!パワー半導体SiCのMOS界面特性評価・界面欠陥低減技術主催:R&…

超臨界二酸化炭素利用技術入門講座【大阪開催】

超臨界二酸化炭素の利用における溶媒特性やその測定法・計算法の基礎から分離精製,材料創製,分析,ヒートポンプへの応用まで詳解!超臨界二酸化炭素利用技術入門講座〜超臨界二酸化炭素の基礎的特性から応用技術まで〜日時:2012年11月7日(水) 10:30〜1…

アジア主要国(中国・韓国・インド)における知的財産関連契約締結の注意点及び現地法制との関連で生じたトラブル対策【大阪開催】

アジア諸国の企業や研究機関と知的財産関連契約を締結する際のトラブル回避、トラブルが生じた場合の対応の仕方、更に現地法制との関連で注意すべき内容を解説! アジア主要国(中国・韓国・インド)における知的財産関連契約締結の注意点及び現地法制との関…