スパッタリング法による薄膜作製とそのポイント

スパッタリング法による薄膜作製のポイントを基礎的な物理現象から分かりやすく解説！

スパッタリング法による薄膜作製とそのポイント
〜原理・成膜条件・膜構造・膜質・密着性・基板へのダメージ〜

主催：Ｒ＆Ｄ支援センター

日時：平成22年11月29日（月）　10：30〜16：30

＜講座のポイント＞
スパッタリングという物理現象を利用した薄膜成長技術であるスパッタリング法について、その基本的な考え方を中心に、できるだけイメージできるよう、実際に使用される装置や応用例などを交えて解説致します。

＜プログラム＞
１．スパッタリング現象　　
　　1-1　スパッタリング現象

　　1-2　スパッタリング率の衝撃イオンエネルギー依存性

　　1-3　スパッタリング率の衝撃イオン入射角依存性

　　1-4　スパッタリング原子の運動エネルギー

２．各種スパッタリング方式
　　2-1　DC２極スパッタリング方式

　　2-2　RF２極スパッタリング方式

　　2-3　３極および４極スパッタリング方式

　　2-4　マグネトロンスパッタリング方式

　　2-5　特殊なスパッタリング方式

　　　　2-5-1　バイアススパッタリング

　　　　2-5-2　リアクティブスパッタリング

　　　　2-5-3　デュアルマグネトロンスパッタリング方式

３．各種スパッタリング装置
　　3-1　スパッタリング装置の分類

　　3-2　各種スパッタリング装置の紹介

　　3-3　スパッタリング装置の操作技術

４．スパッタリング法による薄膜の成長過程　　　　
　　4-1　ターゲットから飛び出す粒子　　　

　　4-2　ターゲットと基板との間の空間での現象　　　　

　　4-3　基板上への膜の堆積

５．スパッタリング薄膜の基本特性　　　　
　　5-1　膜中へのガスの混入　　　　

　　5-2　薄膜の構造

　　5-3　力学的（機械的）性質

　　　　5-3-1　付着力

　　　　5-3-2　硬さ

　　　　5-3-3　内部応力

６．優れた特性を持つ薄膜の作製条件
　　6-1　基板の前処理

　　6-2　ターゲットの選択と前処理

　　6-3　スパッタリング条件

　　6-4　イオンアシスト

　　6-5　微少欠陥とその対策

　　6-6　付着力を増す方法

【質疑応答・名刺交換】