Si-IGBT最新技術とＳiＣ・ＧａＮデバイスの開発・最新動向

パワーデバイスの最新技術を詳解する講座。中、高耐圧用途で最強のシリコンIGBTと今後期待されるSiC、GaNデバイスの最新動向をつかみ、製品開発に活かそう！

日時：2011年9月20日（火）　10：30〜17：30

[講師の言葉]

パワー半導体の将来を考える上での重要な課題として、シリコンデバイスからシリコンカーバイド（ＳｉＣ）やガリウムナイトライド（ＧａＮ）に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつになったら移行するかというところにある。シリコンＩＧＢＴはトレンチＦＳ型の誕生で特性限界に近づきつつあり、いよいよSiCに代表されるワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実味を帯びてきた。どんな素子がいつごろ本格的にマーケットに登場するのか？　特長は？課題は？

　また現在、中、高耐圧用途で最強のパワーデバイスと言われているシリコンIGBTについて、その誕生から現在の最先端IGBTに至るまでの開発の歴史を振り返りながら、素子構造、諸特性、限界特性、設計思想、製造プロセスの特異性など、素子設計、製造プロセス、またアプリケーションの立場を通して多角的な観点から詳細に説明する。また、次世代IGBT開発はどうなるのか、など興味ある内容で議論したい。

[プログラム]

１．パワーデバイスの現状
　　1-1 どんな用途に何が使われているのか？
　　　　CPU,メモリと何が違うのか
　　1-2 パワーデバイスに要求される特性は何？
２．IGBTの開発の歴史と最新技術
　　2-1 IGBTの誕生
　　　・バイポーラトランジスタ、MOSFET、そしてIGBTの誕生
　　2-2 IGBTは筋のいいデバイスと言われている。どういうことか？
　　2-3 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ？
　　2-4 「損失が小さい」、「壊れない」、「使いやすい」がキーワード
　　2-5 最新のIGBT技術とは
　　　　・キーワードは微細化と薄ウェハ化
　　2-6 低損失化の見込みはどの程度あるのか
　　2-7 今後のIGBTについて
　　　　・IGBTとダイオードのインテグレーションがポイント
３．SiCパワーデバイス開発
　　3-1 なぜSiCが注目されているのか
　　3-2 MOSFETを開発するのか、IGBTを開発するのか
　　3-3 SiCパワーデバイス開発現状と課題
　　　・最近の新聞発表、論文について解説
　　　・SiC-MOSFETの本格的な製品化はいつごろなのか？
　　　・製品化を阻んでいる課題は何なのか？
　　3-4 SiCパワーデバイスのプロセスはSiとどこが違うのか
　　3-5 GaNパワーデバイス開発現状と課題
　　　・なぜGaNなのか？SiCに対して何がいいのか？
　　　・最近の新聞発表、論文について解説
４．まとめ